RSS
Новости
14 июля 2011, 12:29
Тoshiba и Hynix выпустят энергонезависимую оперативную память
Совместными усилиями компании Toshiba и Hynix Semiconductor намерены начать работу над созданием и производством энергонезависимой магниторезистивной памяти с произвольной выборкой.

Технология имеет название Magnetic Random Access Memory, MRAM.

Преимущество таких модулей памяти - записанная информация не пропадает при отключении питания, поскольку электроны могут сохранять положение спина длительное время. Кроме того, MRAM-память является более энергоэффективной по сравнению с DRAM-аналогом и в будущем сможет заменить ее. Она сейчас применяется в сотовых телефонах, мобильных компьютерах, идентификационных картах. Ее также  используют военные для управления боевыми ракетами и контроля за космическими станциями.

По словам старшего вице-президента Toshiba Corporation и главы подразделения Toshiba Semiconductor and Storage Products, совместная программа с Hynyx в направлении к MRAM-памяти является ключевым шагом

"Мы уверены, что MRAM имеет огромный потенциал в плане масштабируемости и энергоэффективности", - говорит Киеси Кобаяши (Kiyoshi Kobayashi), старший вице-президент Toshiba Corporation и глава подразделения Toshiba Semiconductor and Storage Products. "Мы будем активно поддерживать всякие инициативы по интеграции продуктов хранения данных, включая MRAM, NAND и HDD. Совместная программа с Hynyx в направлении к MRAM-памяти является ключевым шагом в развитии новых разработок в этом направлении.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber

По материалам: chip.ua
ELEKTROVESTI.NET экономят ваше время
Подпишитесь на важные новости энергетики!
Подпишитесь на ЭлектроВести в Твиттере
Самое читаемое