RSS
Новости
29 октября 2013, 09:47
Получены идеальные полупроводники для рекордных солнечных батарей
Американские ученые разработали технологию выращивания кристаллов InGaN на сапфировой подложке.

Новый метод, под названием «металл-модулированная эпитаксия», обеспечивает практически полное совмещение двумерных атомных решеток при послойном росте материала, что позволяет соединить два полупроводниковых кристалла, которые не могут быть выращены друг на друге с сохранением высокого качества решетки. Это делает возможным получение оптимального сочетания полупроводников для создания высокоэффективных солнечных батарей.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram - перейдите по ссылке и нажмите кнопку Join

По материалам: ko.com.ua
ELEKTROVESTI.NET экономят ваше время
Подпишитесь на важные новости энергетики!