Сотрудниками Арканзасского университета достигнута наивысшая на сегодняшний день эффективность для квадратных (сторона 9 мм) арсенид-галлиевых солнечных элементов - 14 %. Достижению данного показателя способствовало нанесение на поверхность солнечных батарей антиотражающего покрытие из тонкого слоя оксида цинка (ZnO).

Комплект из 9 - 12 таких ячеек генерирует достаточно электричества для питания небольших светодиодов или портативных устройств. Предложенная модификация поверхности применима и для более крупных массивов солнечных элементов, которые могли бы обеспечивать электроэнергией дома и космические летательные аппараты.

Удобство оксида цинка в том, что этот материал дешев, легко синтезируется и нетоксичен.

Изменение свойств поверхности арсенида галлия, достигнутое за счет химического синтеза тонких пленок, наноструктур и наночастиц, позволяет полупроводнику поглощать больше солнечного света. Однако даже без специального покрытия, путем модификации основного материала, инженеры довели эффективность преобразования энергии до 9 % (максимальный КПД арсенида галлия теоретически определяется в 33 %).

Подобное модифицирование поверхности, по их мнению, может быть применимо и к другим солнечным элементам, в том числе сделанным из квантовых точек на базе арсенида индия и арсенида галлия. Для них максимальная расчетная эффективность еще выше и достигает 63 %.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber