В своих экспериментах они использовали  кремниевыми модулями и различными полупроводниковыми материалами III-V группы. В итоге, двухпереходные солнечные панели на основе гетероперходного кремниевого модуля и верхнего модуля из арсенида галлия (GaAs) продемонстрировали КПД 32,8%, побив предыдущий рекорд ученых. В 2016 году эффективность составляла 29,8% при похожей структуре. Инженеры также создали трехпереходные модули со слоем фосфида галлия индия (GaInP) с КПД 35,9%.

Отмечается, что обычно такие показатели эффективности демонстрируют дорогостоящие мультипереходные фотоэлементы, полностью состоящие из материалов III-V группы.

Однако разработчики сообщают, что на данный момент цена компонентов препятствует широкому применению солнечных панелей такого типа. При среднем КПД 30% один ватт от модуля на основе GaInP обойдется в $4,85. А один ватт от панели на основе GaAs — в $7,15. При этом инженеры предполагают, что повышение КПД до 35% и масштабирование производства позволит снизить стоимость до $1 за ватт. 

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber