Исследовательская группа, возглавляемая адъюнкт-профессором Саки Сонода (Saki Sonoda), надеется, что эта разработка приведет к созданию более эффективных фотоэлектрических элементов, которые будут односвязными, а не многосвязными, как сейчас.

Эти новые фотоэлектрические клетки были изготовлены путем «расширения» ширины запрещенной энергетической зоны светопроницаемых композитных полупроводников - в этом случае нитрида галлия (GaN) - с 3-d переходным металлом, таким как марганец. В списке металлов, потенциально имеющих дефекты на атомарном уровне, также могут числиться скандий, титан, ванадий, хром, железо, кобальт, никель, медь и цинк.

В многосвязном соединении фотоэлектрических элементов используются несколько тонких пленок, каждая из которых способна поглощать определенную часть солнечного спектра. Соединенные вместе, они в идеале должны поймать весь спектр солнечного света. Однако прототип нового солнечного элемента позволяет поглотить весь спектр, используя одну единственную ячейку.

Благодаря подобным достижениям в области фотоэлектричества можно убедиться, что огромный потенциал тонкопленочных солнечных элементов не только реализовывается, но может вырасти еще больше. А если прибавить к этому новости о том, что в солнечных панелях могут быть использованы углеродные листы, то будущее отрасли выглядит очень оптимистичным.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber