По их словам этого удалось достичь с помощью нанесения слоя диэлектрика толщиной в один атом каждый.

Данный нанотранзистор состоит из трех слоев: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.

Для лучшей проходимости специалисты предложили поатомное распределение материала. Кроме того, это сделано в целях защиты продукта от посторонних включений. Данная процедура проводится в вакуумной камере.

Благодаря этому ускоряется прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%, что в итоге приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к более эффективной экономии электроэнергии.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber