RSS
Новости
3 февраля 2012, 19:38
Ученые сумели создать эффективный графеновый транзистор
Нобелевские лауреаты Константин Новоселов и Андрей Гейм, работающие в университете Манчестера, разработали метод нейтрализации высоких токов утечки в графеновых транзисторах.

Это позволит создавать высокоэффективные полупроводниковые микросхемы на основе графена, не беспокоясь о перегреве.

Группа под руководством Новоселова смогла нейтрализовать основное препятствие на пути к графеновой микроэлектронике - высокие токи утечки в транзисторах, вставив пленки графена в "сэндвич" из тончайших листов нитрида бора или дисульфида молибдена.

Графеновый "сендвич" снижает утечку в 10 раз по сравнению с предыдущими графеновыми транзисторами. Команда предлагает снизить утечки в дальнейшем за счет увеличения толщины изоляционного слоя.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber

По материалам: infuture.ru
ELEKTROVESTI.NET экономят ваше время
Подпишитесь на важные новости энергетики!
Подпишитесь на ЭлектроВести в Твиттере
Самое читаемое