Это позволит создавать высокоэффективные полупроводниковые микросхемы на основе графена, не беспокоясь о перегреве.

Группа под руководством Новоселова смогла нейтрализовать основное препятствие на пути к графеновой микроэлектронике - высокие токи утечки в транзисторах, вставив пленки графена в "сэндвич" из тончайших листов нитрида бора или дисульфида молибдена.

Графеновый "сендвич" снижает утечку в 10 раз по сравнению с предыдущими графеновыми транзисторами. Команда предлагает снизить утечки в дальнейшем за счет увеличения толщины изоляционного слоя.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber