Новости
18 декабря 2012, 13:59
Американские ученые разработали энергонезависимую память
Ученые из США при создании ультра-быстрой магниторезистивной памяти с высокой пропускной способностью с произвольным доступом (MRAM) использовали не электрический ток, а разность напряжений.
Такая технология позволяет делать систему от 10 до 1000 раз энергоэффективнее. Новинка - это сочетание высокой плотности и энергонезависимости - она может сохранять данные при отсутствии питания. MRAM имеет очень большой потенциал для использования в чипах для смартфонов и компьютеров.
Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в
Telegram и Viber
По материалам: day.kiev.ua
ELEKTROVESTI.NET экономят ваше время
Подпишитесь на важные новости энергетики!
