Ученые добились столь высокого показатели эффективности у трехконтактных солнечных ячеек. Предыдущий рекорд та же команда инженеров установила в ноябре прошлого года - тогда КПД солнечных элементов составил 30,2%.

При создании новых солнечных панелей исследователи использовали технологию сращивания пластин, которая часто применяется в сфере микроэлектроники. Методика позволяет переносить слой полупроводниковых материалов III-V группы толщиной в несколько микрометров на кремний. После плазменной активации поверхности субъячеек соединяются в вакууме под давлением. В результате атомы полупроводниковых материалов соединяются с атомами кремния, что приводит к формированию монолитной конструкции, которая, в свою очередь, обеспечивает более высокий коэффициент фотоэлектрического преобразования.

Трехконтактные солнечные элементы состоят из трех субъячеек, наложенных друг на друга. Они выполнены из фосфида галлия индия (GaInP), арсенида галлия (GaAs) и кремния (Si). Все три субъячейки соединены тоннельными диодами. GaInP преобразует в электричество излучение в диапазоне волн длиной от 300 до 670 нм, GaAs - от 500 до 890 нм, а Si - от 650 до 1180 нм.

Элементы внешне не отличаются от традиционных солнечных элементов, отмечают ученые в пресс-релизе. Это позволяет крепить их на обычные модули солнечных панелей.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber