RSS
Новости
20 мая 2010, 12:21
Intel выпускает флэш-память с самой высокой в мире плотностью записи
Схемы флэш-памяти NAND, изготовленные по новому технологическому процессу с масштабом элементов 25 нм, обладают вдвое большей емкостью по сравнению со схемами предыдущего поколения, изготавливаемыми по 34-нанометровому процессу. Размеры схем составляют 0,35 на 0,74 дюйма.

О разработке новых схем объемом 8 Гбайт компания Intel объявила в феврале, а сейчас они уже поставляются производителям оборудования - твердотельных жестких дисков, карт памяти и внешних USB-накопителей. Как правило, в одном устройстве устанавливается несколько схем флэш-памяти, и повышение объема одной схемы сокращает общее число схем в устройстве. Кроме того, миниатюризация снижает себестоимость электронных устройств.

Производством новых микросхем флэш-памяти занимается компания IMFT - совместное предприятие Intel и Micron Technology.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber

По материалам: osp.ru
ELEKTROVESTI.NET экономят ваше время
Подпишитесь на важные новости энергетики!
Подпишитесь на ЭлектроВести в Твиттере
Самое читаемое