Кремній довгий час був головним матеріалом для виробництва напівпровідників, але не в чистому вигляді. Часто для поліпшення його характеристик кремній легували фосфором або бором. Нещодавно з'явилося нове, більш надійне штучне з'єднання напівпровідникових матеріалів - нітрид III групи. У нітридів галію і нітриду алюмінію ширша заборонена зона (бандгап), що дозволяє їм витримувати більшу напругу і більш високі частоти та ефективніше переносити енергію.

Вчені з Корнельського університету взяли замість домішок тонкий кристалічний шар нітриду галію - який називається квантовим колодязем - і помістили його поверх кристала нітриду алюмінію. З'ясувалося, що різниця в їх структурі генерує високу щільність рухомих дірок.

Утворені структури майже в десять разів краще проводять електрику, ніж леговані магнієм.

Тепер, коли у розробників з'явилася можливість виготовляти транзистори p-типу, вони планують з'єднати їх з транзисторами n-типу для створення більш складних схем, які відкривають нові можливості для високоенергетичної комутації, мобільних технологій 5G і енергоефективної електроніки.

«Дуже складно одночасно отримати n-тип і p-тип в напівпровіднику з широким бандгапом. Сьогодні єдиний варіант, крім нітриду галію, це карбід кремнію. Однак рухливі електрони в карбіду кремнію менш активні, ніж в GaN, - пояснює співавтор дослідження, професор Грейс Сін. - Завдяки взаємодоповнюючим діям пристроїв p-типу і n-типу можна буде побудувати набагато більш енергоефективну архітектуру ».

Нагадаємо, що на Всесвітньому економічному форумі в Давосі презентували звіт, присвячений проблемі електронного сміття. Це перша доповідь, розроблена PACE - групою, сформованою з учасників ООН, Всесвітньої бізнес-ради зі сталого розвитку та інших членів міжнародних інституцій. Редакція AIN.UA наводить ключові факти та висновки дослідження.

Раніше ЕлектроВісті писали, що на Закарпатті відкрили нові потужності з виробництва електроніки.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber