Между тем, когда графеновый лист размещают на диэлектрической подложке, подложка влияет на поведение одноатомного листа углерода, формирует эффект рассеивания носителей заряда.

Однако ученые  из исследовательского центра Уотсона сумели решить эту проблему. Сначала они создали на медной пленке лист графена с помощью химического осаждения из пара, а после этого, переместили его на подложку из алмазоподобного углерода.

На этой основе ученые соорудили полевой транзистор с затвором длиной всего 40 нанометров. По словам ученых, на проделанных испытаниях прибор показал очень высокую частоту среза - 155 гигагерц. Кроме того, выяснилось, что новый графеновый транзистор отлично работает до температуры в 4,3 кельвина.

Как сообщается, этот прибор может найти применение в области беспроводной связи, радарах, медицинской технике и т.д.

Читайте самые интересные истории ЭлектроВестей в Telegram и Viber